Vishay SI9945CDY Dual N-Channel MOSFET, 7.9 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI9945CDY-T1-GE3

N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB26.73

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB28.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 29 มิถุนายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน
ต่อม้วน
1 - 24THB26.73
25 - 99THB17.82
100 +THB8.91

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
736-345
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI9945CDY-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Dual N-Channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

7.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8

Series

SI9945CDY

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.032Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

3.6W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.3nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay N-Channel MOSFET designed for efficient power management. It is Ideal for various applications including load switches and LCD TV inverter circuits.

TrenchFET technology delivers reduced switching losses

Optimised Qg, Qgd, and Qgs ratios enhance performance

100% tested for Rg and UIS ensures reliability

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง