Vishay SI9945CDY Dual N-Channel MOSFET, 7.9 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI9945CDY-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 736-345
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI9945CDY-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB26.73
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB28.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 29 มิถุนายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 24 | THB26.73 |
| 25 - 99 | THB17.82 |
| 100 + | THB8.91 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 736-345
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI9945CDY-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Dual N-Channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | SI9945CDY | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.032Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.6W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 3.3nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Dual N-Channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series SI9945CDY | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.032Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.6W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.3nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
The Vishay N-Channel MOSFET designed for efficient power management. It is Ideal for various applications including load switches and LCD TV inverter circuits.
TrenchFET technology delivers reduced switching losses
Optimised Qg, Qgd, and Qgs ratios enhance performance
100% tested for Rg and UIS ensures reliability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SI9634DY 4 Dual N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI9634DY-T1-GE3
- Vishay SIS9634LDN 4 Dual N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS9634LDN-T1-GE3
- Vishay SIS9122 Dual N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIS9122 Dual N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIS9122DN-T1-GE3
- Infineon ISA Dual N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 8-Pin PG-DSO-8 ISA250250N04LMDSXTMA1
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33 PXN017-30QLJ
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33
- Vishay Type P-Channel MOSFET 20 V, 6-Pin TSOP-6 SI3460DDV-T1-GE3
