Nexperia Type N-Channel MOSFET, 7.9 A, 30 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33
- RS Stock No.:
- 240-1982
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PXN017-30QLJ
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB19,125.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB20,463.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB6.375 | THB19,125.00 |
| 6000 - 6000 | THB6.248 | THB18,744.00 |
| 9000 + | THB6.123 | THB18,369.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 240-1982
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PXN017-30QLJ
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | MLPAK33 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 12.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type MLPAK33 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 12.5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Nexperia N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an MLPAK33 (SOT8002) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Logic-level compatible
Trench MOSFET technology
Ultra low QG and QGD for high system efficiency, especially at higher switching frequencies
Superfast switching with soft-recovery
Low spiking and ringing for low EMI designs
MLPAK33 package (3.3 x 3.3 mm footprint)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33 PXN017-30QLJ
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33 PXN010-30QLJ