Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 27 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS23DN-T1-GE3

RS Stock No.:: 814-1314
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SISS23DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 27 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS23DN-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB489.42

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB523.68

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 2,900 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 740	THB24.471	THB489.42
760 - 1480	THB23.859	THB477.18
1500 +	THB23.492	THB469.84

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 814-1314
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SISS23DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	27A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	TrenchFET
	Package Type	PowerPAK 1212
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	11.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	-0.8V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	195nC
	Maximum Power Dissipation Pd	57W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	3.3 mm
	Length	3.3mm
	Height	0.78mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 27A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series TrenchFET
	Package Type PowerPAK 1212
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 11.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf -0.8V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 195nC
	Maximum Power Dissipation Pd 57W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 3.3 mm
	Length 3.3mm
	Height 0.78mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 27 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS23DN-T1-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง