Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 222 A, 80 V Enhancement, 10-Pin PowerPack SQJ182ER-T1_GE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB110.90

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB118.66

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB110.90
10 - 24THB72.28
25 - 99THB37.63
100 - 499THB36.64
500 +THB36.14

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
735-244
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQJ182ER-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

222A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPack

Mount Type

Surface

Pin Count

10

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0061Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

93nC

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Length

7.5mm

Width

5.3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง