onsemi FDP Type N-Channel MOSFET, 222 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 FDP2D3N10C

RS Stock No.:: 181-1899
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDP2D3N10C
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi FDP Type N-Channel MOSFET, 222 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 FDP2D3N10C

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB447.70

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB479.04

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,548 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 198	THB223.85	THB447.70
200 - 398	THB219.375	THB438.75
400 +	THB214.99	THB429.98

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 181-1899
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDP2D3N10C
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	222A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TO-220
	Series	FDP
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd	214W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	108nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	15.21mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4.67 mm
	Length	10.36mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 222A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TO-220
	Series FDP
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd 214W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 108nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 15.21mm
	Standards/Approvals No
	Width 4.67 mm
	Length 10.36mm
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Max RDS(on) = 2.3 mΩ at VGS = 10 V, ID = 222 A

Power Density & Shielded Gate

High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on)

High power density with Shielded gate technology

Extremely Low Reverse Recovery Charge, Qrr

Low Vds spike internal snubber function.

Low Gate Charge, QG = 108nC (Typ.)

Low switching loss

High Power and Current Handling Capability

Low Qrr/Trr

Soft recovery performance

Good EMI performance

Synchronous Rectification for ATX / Server / Workstation / Telecom PSU / Adapter and Industrial Power Supplies.

Motor drives and Uninterruptible Power Supplies

Micro Solar Inverter

Server

Telecom

Computing (ATX, Workstation, Adapter, Industrial Power Supplies etc.)

Motor Drive

Uninterruptible Power Supplies

onsemi FDP Type N-Channel MOSFET, 222 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 FDP2D3N10C

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง