Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, -222 A, -60 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ161EL-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 735-246
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJQ161EL-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB191.10
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB204.48
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 21 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB191.10 |
| 10 - 49 | THB118.32 |
| 50 - 99 | THB91.59 |
| 100 + | THB61.88 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 735-246
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJQ161EL-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -222A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -60V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | PowerPAK (8x8L) | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0072Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 136nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 348W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Length | 8mm | |
| Width | 7.9 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type P-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -222A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -60V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type PowerPAK (8x8L) | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0072Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 136nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 348W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Length 8mm | ||
Width 7.9 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -80 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ181EL-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Gen IV Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET Gen IV Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ130EL-T1_GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -80 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ181ELP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ118E-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ140E-T1_GE3
