Vishay SiK N channel-Channel MOSFET, 417 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SiJK5100E

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB323.29

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB345.92

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB323.29
10 - 49THB200.51
50 - 99THB154.96
100 +THB104.46

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
735-161
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiJK5100E
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

417A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SiK

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0014Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

100V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

131nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

536W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

10mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

4mm

Length

12mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE
The Vishay N-Channel MOSFET rated for 60V drain-source voltage, optimized for high-efficiency switching in AI power server DC/DC converters and synchronous rectification circuits. It achieves very low on-resistance of 1.7mΩ maximum at 10V gate drive for minimal conduction losses in high-current applications

94A continuous drain current at TA=25°C

54.3nC typical total gate charge for fast switching

-55°C to +175°C extended junction temperature range

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง