Vishay SiK N channel-Channel MOSFET, 795 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SiJK140E
- RS Stock No.:
- 735-142
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiJK140E
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB401.51
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB429.62
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB401.51 |
| 10 - 49 | THB249.02 |
| 50 - 99 | THB192.59 |
| 100 + | THB130.21 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 735-142
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiJK140E
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 795A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | SiK | |
| Package Type | PowerPAK 10 x 12 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.00047Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 536W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 312nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 40V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 10mm | |
| Length | 12mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 795A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series SiK | ||
Package Type PowerPAK 10 x 12 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00047Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 536W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 312nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 40V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 10mm | ||
Length 12mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 4mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
The Vishay N-Channel MOSFET rated for 60V drain-source voltage, optimized for high-efficiency switching in AI power server DC/DC converters and synchronous rectification circuits. It achieves very low on-resistance of 1.7mΩ maximum at 10V gate drive for minimal conduction losses in high-current applications
0.21°C/W low RthJC for optimal thermal performance
312nC typical total gate charge
Standard level FET with 2.4V minimum VGS
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiK N channel-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SiJK5100E
- Vishay SiH N channel-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SiHK045N60EF
- Vishay SiH N channel-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SiHK055N60E
- Vishay SiH N channel-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SiHK055N60EF
- Vishay SiH N channel-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SiHK075N60EF
- Vishay E Series N channel-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK075N65E-T1-GE3
- Vishay SF Series N channel-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK110N65SF-T1GE3
- Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK185N60EF-T1GE3