Vishay SiD N channel-Channel MOSFET, 291 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiDR402EP

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB124.26

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB132.96

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB124.26
10 - 24THB80.70
25 - 99THB42.58
100 - 499THB41.09
500 +THB40.10

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
735-145
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiDR402EP
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

291A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

SiD

Package Type

PowerPAK SO-8

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00088Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10V

Forward Voltage Vf

40V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

110nC

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

7mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

6mm

Height

2mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE
The Vishay N-Channel MOSFET rated for 40V drain-source voltage, engineered for high-efficiency synchronous rectification in AI power server DC/DC converters. It provides ultra-low on-resistance around 0.88mΩ at 10V gate drive to minimize conduction losses in high-current power stages.

65A continuous drain current at TA=25°C

Low RDS(on) x Qg figure-of-merit for optimal switching

Material categorization qualification for reliability

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง