Vishay SiD N channel-Channel MOSFET, 421 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiDR500EP
- RS Stock No.:
- 735-149
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiDR500EP
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB183.67
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB196.53
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB183.67 |
| 10 - 49 | THB113.87 |
| 50 - 99 | THB88.12 |
| 100 + | THB59.41 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 735-149
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiDR500EP
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 421A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PowerPAK SO-8 | |
| Series | SiD | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.00047Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 120nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150W | |
| Forward Voltage Vf | 30V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 6mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 2mm | |
| Length | 7mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 421A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PowerPAK SO-8 | ||
Series SiD | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00047Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 120nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150W | ||
Forward Voltage Vf 30V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 6mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 2mm | ||
Length 7mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
The Vishay N-Channel MOSFET rated for 60V drain-source voltage, optimized for high-efficiency switching in AI power server DC/DC converters and synchronous rectification circuits. It achieves very low on-resistance of 1.7mΩ maximum at 10V gate drive for minimal conduction losses in high-current applications
94A continuous drain current at TA=25°C
54.3nC typical total gate charge for fast switching
-55°C to +175°C extended junction temperature range
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiD N channel-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiDR510EP
- Vishay SiD N channel-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiDR5802EP
- Vishay SiD N channel-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiDR626EP
- Vishay SiD N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiDR402EP
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8DC
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SIDR500EP-T1-RE3
- Vishay SiR N channel-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiRA20DDP
- Vishay SQRS144EP N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SQRS144EP-T1_GE3