Vishay SiD N channel-Channel MOSFET, 227 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiDR626EP

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB164.37

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB175.88

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB164.37
10 - 49THB101.99
50 - 99THB78.72
100 +THB53.47

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
735-139
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiDR626EP
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

227A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SiD

Package Type

PowerPAK SO-8

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00174Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

60V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

68nC

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

7mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

2mm

Width

6mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay N-Channel MOSFET rated for 60V drain-source voltage, optimized for high-efficiency synchronous rectification in AI power server solutions. It delivers very low on-resistance of 1.7mΩ maximum at 10V gate drive to minimize conduction losses in high-current DC/DC converter applications.

50.8A at TA=25°C and 227A at TC=25°C current ratings

Tuned for lowest RDS(on) x Qoss figure-of-merit

100% Rg and UIS tested for reliability

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง