Vishay SiS N channel-Channel MOSFET, 64 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSD5806DN

N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB70.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB75.76

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 14 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB70.80
10 - 24THB46.04
25 - 99THB24.26
100 - 499THB23.27
500 +THB22.77

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
735-136
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiSD5806DN
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

64A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiS

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0069Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

80V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4mm

Length

4mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

1mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE
The Vishay N-Channel MOSFET rated for 80V drain-source voltage, specifically engineered for low-loss operation in AI power server solutions and high-efficiency DC/DC converters.

64A continuous drain current at TC=25°C

57W maximum power dissipation

33nC maximum total gate charge

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง