Vishay SiS N channel-Channel MOSFET, 55 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSD5110DN

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB88.12

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB94.29

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 14 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB88.12
10 - 24THB57.43
25 - 99THB30.20
100 - 499THB29.21
500 +THB28.71

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
735-132
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiSD5110DN
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiS

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0095Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.3nC

Forward Voltage Vf

100V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1mm

Length

4mm

Width

4mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE
The Vishay N-Channel TrenchFET Gen V power MOSFET optimized for low-loss switching in AI power server solutions and high-density power supplies. It achieves a 100V drain-source rating with exceptionally low on-resistance of 9.5 mΩ maximum at 10V gate drive to minimize conduction losses.

55A continuous drain current at TC=25°C

57W maximum power dissipation

Low total gate charge of 29nC maximum

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง