STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Power MOSFET, 6 A, 700 V Enhancement, 2-Pin TO-252 SGT350R70GTK

RS Stock No.:: 719-638
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SGT350R70GTK
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Power MOSFET, 6 A, 700 V Enhancement, 2-Pin TO-252 SGT350R70GTK

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB64.36

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB68.87

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

269 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 24	THB64.36
25 - 99	THB57.43
100 - 499	THB51.49
500 - 999	THB43.57
1000 +	THB40.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Channel Type	P-Channel
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	700V
	Series	G-HEMT
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface Mount
	Pin Count	2
	Maximum Drain Source Resistance Rds	350mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-1.4 to 7 V
	Maximum Power Dissipation Pd	47W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.5nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	6.7 mm
	Length	6.2mm
	Height	2.4mm

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Channel Type P-Channel
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 700V
	Series G-HEMT
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface Mount
	Pin Count 2
	Maximum Drain Source Resistance Rds 350mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -1.4 to 7 V
	Maximum Power Dissipation Pd 47W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.5nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 6.7 mm
	Length 6.2mm
	Height 2.4mm