DiodesZetex Isolated 2 Type N, Type P-Channel Power MOSFET, 3.4 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOT DMG6602SVT-7
- RS Stock No.:
- 822-2532
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMG6602SVT-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 100 ชิ้น)*
THB1,250.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,338.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 75,600 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 100 - 700 | THB12.50 | THB1,250.00 |
| 800 - 1400 | THB12.187 | THB1,218.70 |
| 1500 + | THB12.00 | THB1,200.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 822-2532
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMG6602SVT-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N, Type P | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | TSOT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 140mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4nC | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.27W | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Length | 2.9mm | |
| Standards/Approvals | J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101 | |
| Width | 1.6 mm | |
| Height | 0.9mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type Type N, Type P | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type TSOT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 140mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4nC | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.27W | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Length 2.9mm | ||
Standards/Approvals J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101 | ||
Width 1.6 mm | ||
Height 0.9mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Isolated 2 Type N 3.4 A 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Isolated 2 Type N 5.2 A 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Isolated 2 Type N 4.5 A 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Isolated 2 Type N 5.2 A 6-Pin TSOT DMC2038LVT-7
- DiodesZetex Isolated 2 Type N 4.5 A 6-Pin TSOT DMG6601LVT-7
- DiodesZetex Isolated 2 Type P 520 mA 6-Pin SOT-963 DMC2990UDJ-7
- DiodesZetex Isolated 2 Type P 520 mA 6-Pin SOT-963
- DiodesZetex Isolated 2 Type P 620 mA 6-Pin SOT-563
