STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Transistor, 11.5 A, 700 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT SGT190R70ILB

RS Stock No.:: 719-635
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SGT190R70ILB
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Transistor, 11.5 A, 700 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT SGT190R70ILB

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB70.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB75.22

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB70.30
10 - 24	THB61.88
25 - 99	THB55.45
100 - 499	THB45.05
500 +	THB44.06

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Product Type	Transistor
	Channel Type	P-Channel
	Maximum Continuous Drain Current Id	11.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	700V
	Series	G-HEMT
	Package Type	PowerFLAT
	Mount Type	Surface Mount
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	190mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	2.8nC
	Maximum Power Dissipation Pd	83W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-6 to 7 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	8.1mm
	Width	8.1 mm
	Height	0.9mm

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Product Type Transistor
	Channel Type P-Channel
	Maximum Continuous Drain Current Id 11.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 700V
	Series G-HEMT
	Package Type PowerFLAT
	Mount Type Surface Mount
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 190mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.8nC
	Maximum Power Dissipation Pd 83W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -6 to 7 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 8.1mm
	Width 8.1 mm
	Height 0.9mm