STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Transistor, 21.7 A, 700 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT SGT105R70ILB
- RS Stock No.:
- 719-633
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SGT105R70ILB
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB117.83
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB126.08
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB117.83 |
| 10 - 24 | THB103.47 |
| 25 - 99 | THB93.07 |
| 100 - 499 | THB75.75 |
| 500 + | THB73.77 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 719-633
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SGT105R70ILB
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | Transistor | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 21.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Package Type | PowerFLAT | |
| Series | G-HEMT | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 105mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 158W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -6 to 7 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 8.1mm | |
| Width | 8.1 mm | |
| Height | 0.9mm | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type Transistor | ||
Channel Type P-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 21.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Package Type PowerFLAT | ||
Series G-HEMT | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 105mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 158W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -6 to 7 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.8nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 8.1mm | ||
Width 8.1 mm | ||
Height 0.9mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics 700 V 21.7 A e-mode PowerGaN transistor combined with a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.
Enhancement mode normally off transistor
Very high switching speed
High power management capability
Extremely low capacitances
Kelvin source pad for optimum gate driving
Zero reverse recovery charge
ESD safeguard