STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Transistor, 26 A, 700 V Enhancement, 13-Pin TO-LL SGT070R70HTO

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB257.05

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB275.04

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 300 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB257.05
10 - 49THB226.01
50 - 99THB203.13
100 +THB160.66

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
719-630
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SGT070R70HTO
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

Transistor

Channel Type

P-Channel

Maximum Continuous Drain Current Id

26A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Package Type

TO-LL

Series

G-HEMT

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

13

Maximum Drain Source Resistance Rds

70mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

231W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.58mm

Height

2.4mm

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics 700 V 26 A e-mode PowerGaN transistor combined with a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.

Enhancement mode normally off transistor

Very high switching speed

High power management capability

Extremely low capacitances

Kelvin source pad for optimum gate driving

Zero reverse recovery charge

ESD safeguard

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง