STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Transistor, 26 A, 700 V Enhancement, 13-Pin TO-LL SGT070R70HTO
- RS Stock No.:
- 719-630
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SGT070R70HTO
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB257.05
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB275.04
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 300 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB257.05 |
| 10 - 49 | THB226.01 |
| 50 - 99 | THB203.13 |
| 100 + | THB160.66 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 719-630
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SGT070R70HTO
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | Transistor | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 26A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Package Type | TO-LL | |
| Series | G-HEMT | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 13 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 70mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 231W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.58mm | |
| Height | 2.4mm | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type Transistor | ||
Channel Type P-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 26A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Package Type TO-LL | ||
Series G-HEMT | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 13 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 70mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 231W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.58mm | ||
Height 2.4mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics 700 V 26 A e-mode PowerGaN transistor combined with a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.
Enhancement mode normally off transistor
Very high switching speed
High power management capability
Extremely low capacitances
Kelvin source pad for optimum gate driving
Zero reverse recovery charge
ESD safeguard
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Transistor 700 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT SGT240R70ILB
- STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Transistor 700 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT SGT140R70ILB
- STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Transistor 700 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT SGT105R70ILB
- STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Transistor 700 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT SGT190R70ILB
- STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Transistor 700 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT SGT080R70ILB
- STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Power MOSFET 700 V Enhancement, 2-Pin TO-252 SGT350R70GTK
- STMicroelectronics G-HEMT MOSFET 750 V Enhancement, 4-Pin Reel
- STMicroelectronics G-HEMT MOSFET 750 V Enhancement, 4-Pin Reel SGT120R65AL
