STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Power MOSFET, 6 A, 700 V Enhancement, 2-Pin TO-252 SGT350R70GTK

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB106,370.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB113,815.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 +THB42.548THB106,370.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
719-637
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SGT350R70GTK
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

P-Channel

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Package Type

TO-252

Series

G-HEMT

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

2

Maximum Drain Source Resistance Rds

350mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

47W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.2mm

Height

2.4mm

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics 700 V 6 A e-mode PowerGaN transistor combined with a well-established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultrafast switching operation to enable high-power density and unbeatable efficiency performances. Recommended for consumer QR applications with zero current turn-on.

Enhancement mode normally off transistor

Very high switching speed

High power management capability

Extremely low capacitances

Kelvin source pad for optimum gate driving

Zero reverse recovery charge

ESD safeguard

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง