STMicroelectronics STS N channel-Channel Power MOSFET, 10 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 STS10N3LH5

RS Stock No.:: 719-621
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STS10N3LH5
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STS N channel-Channel Power MOSFET, 10 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 STS10N3LH5

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB27,335.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB29,247.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 +	THB10.934	THB27,335.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	N channel
	Maximum Continuous Drain Current Id	10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SO-8
	Series	STS
	Mount Type	Surface Mount
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.021Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±22 V
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4.6nC
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5mm
	Width	4 mm
	Height	1.75mm

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type N channel
	Maximum Continuous Drain Current Id 10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SO-8
	Series STS
	Mount Type Surface Mount
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.021Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±22 V
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.6nC
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5mm
	Width 4 mm
	Height 1.75mm