STMicroelectronics STS N channel-Channel Power MOSFET, 10 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 STS10N3LH5
- RS Stock No.:
- 719-622
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STS10N3LH5
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB18.32
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB19.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 300 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 24 | THB18.32 |
| 25 - 99 | THB16.34 |
| 100 - 499 | THB14.85 |
| 500 - 999 | THB12.38 |
| 1000 + | THB11.39 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 719-622
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STS10N3LH5
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | STS | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.021Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.6nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±22 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 4 mm | |
| Length | 5mm | |
| Height | 1.75mm | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series STS | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.021Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.6nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±22 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 4 mm | ||
Length 5mm | ||
Height 1.75mm | ||
The STMicroelectronics STripFET™V Power MOSFET technology is among the latest improvements, which have been especially tailored to achieve very low on-state resistance providing also one of the best-in-class FOM.
Extremely low on-resistance RDS(on)
Very low switching gate charge
High avalanche ruggedness
Low gate drive power losses
