STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA90N65G2V-4

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
213-3943
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCTWA90N65G2V-4
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

119A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

Hip-247

Series

SCTWA90N65G2V-4

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

24mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

2.5V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22V

Maximum Power Dissipation Pd

656W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

157nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

200°C

Height

5.1mm

Standards/Approvals

No

Width

21.1mm

Length

15.9mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

High speed switching performance

Very high operating junction temperature capability

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง