STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 Type N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247
- RS Stock No.:
- 213-3943
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTWA90N65G2V-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB35,864.61
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB38,375.13
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB1,195.487 | THB35,864.61 |
| 60 - 90 | THB1,169.498 | THB35,084.94 |
| 120 + | THB1,143.509 | THB34,305.27 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 213-3943
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTWA90N65G2V-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 119A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | SCTWA90N65G2V-4 | |
| Package Type | Hip-247 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 24mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 2.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 157nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 656W | |
| Maximum Operating Temperature | 200°C | |
| Width | 21.1 mm | |
| Height | 5.1mm | |
| Length | 15.9mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 119A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series SCTWA90N65G2V-4 | ||
Package Type Hip-247 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 24mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 2.5V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 157nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 656W | ||
Maximum Operating Temperature 200°C | ||
Width 21.1 mm | ||
Height 5.1mm | ||
Length 15.9mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
High speed switching performance
Very high operating junction temperature capability
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA90N65G2V-4
- STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA35N65G2V-4
- STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTW90 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW90N65G2V
- STMicroelectronics SCTW90 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA70N120G2V-4
- STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT 1 Type N-Channel MOSFET Enhancement, 4-Pin Hip-247-4 SCT070W120G3-4