Vishay SIR4156LDP Type N-Channel Single MOSFETs, 25.7 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- RS Stock No.:
- 653-191
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR4156LDP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB24.26
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB25.96
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 6,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 24 | THB24.26 |
| 25 - 99 | THB23.76 |
| 100 - 499 | THB23.27 |
| 500 - 999 | THB19.80 |
| 1000 + | THB18.32 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 653-191
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR4156LDP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 25.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | SIR4156LDP | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.033Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.8nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 43W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.72mm | |
| Length | 6.15mm | |
| Width | 5.15 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 25.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series SIR4156LDP | ||
Package Type PowerPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.033Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.8nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 43W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.72mm | ||
Length 6.15mm | ||
Width 5.15 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 100 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK SO-8, it utilizes TrenchFET Gen IV technology to deliver low RDS(on), fast switching, and optimized thermal performance.
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIR4156LDP Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR4156LDP-T1-GE3
- Vishay SIS4406DN Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIS5712DN Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIHM080N60E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SIR5712DP Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIB4122DK Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 7-Pin PowerPAK
- Vishay SISS5208DN Type N-Channel Single MOSFETs 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK