Vishay SISS5812DN Type N-Channel Single MOSFETs, 42.8 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB24.26

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB25.96

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 6,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน
ต่อม้วน
1 - 24THB24.26
25 - 99THB23.76
100 - 499THB23.27
500 - 999THB19.80
1000 +THB18.32

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
653-133
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SISS5812DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

42.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SISS5812DN

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0135Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

44.6W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.40 mm

Height

0.83mm

Length

3.40mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay TrenchFET Gen V N-Channel Power MOSFET rated for 80 V drain-source voltage. Packaged in a Compact PowerPAK 1212-8S, it's Ideal for AI server power solutions, DC/DC converters, and load switching.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง