Vishay SUP50010EL Type N-Channel Single MOSFETs, 150 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SUP50010EL-GE3
- RS Stock No.:
- 653-152
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUP50010EL-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB4,599.75
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,921.75
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 450 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | THB91.995 | THB4,599.75 |
| 250 + | THB90.154 | THB4,507.70 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 653-152
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUP50010EL-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 150A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | SUP50010EL | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.00173Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 192nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 150A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series SUP50010EL | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00173Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 192nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay TrenchFET Gen IV N-Channel Power MOSFET rated for 60 V drain-source voltage. It features very low gate-drain charge (Qgd) to reduce switching losses and supports high current handling up to 150 A. Packaged in a D2PAK, it's Ideal for DC/DC converters, motor drives, battery management, and synchronous rectification in power supplies.
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SUP50010EL Type N-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay SUM50010EL Type N-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement, 3-Pin PowerPAK SUM50010EL-GE3
- Vishay SUM50010EL Type N-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement, 3-Pin PowerPAK
- ROHM RJ1 Type N-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-263AB RJ1R04BBHTL1
- Vishay SIS5712DN Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIS5712DN-T1-GE3
- Vishay SIS5712DN Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIR5712DP Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR5712DP-T1-GE3
- Vishay SIR5712DP Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK