ROHM RJ1 N-Channel Single MOSFETs, 40 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1R04BBHTL1
- RS Stock No.:
- 646-551
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RJ1R04BBHTL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 2 ชิ้น)*
THB199.51
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB213.48
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 100 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | THB99.755 | THB199.51 |
| 20 - 98 | THB87.855 | THB175.71 |
| 100 - 198 | THB78.84 | THB157.68 |
| 200 + | THB62.435 | THB124.87 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 646-551
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RJ1R04BBHTL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | TO-263AB | |
| Series | RJ1 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 27mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 89W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 15.5mm | |
| Height | 4.77mm | |
| Width | 10.36mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type TO-263AB | ||
Series RJ1 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 27mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 89W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 15.5mm | ||
Height 4.77mm | ||
Width 10.36mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM N channel 150 volt 40 ampere power metal oxide semiconductor field effect transistor features low on resistance, a high power package type TO two six three AB, lead free plating, and is restriction of hazardous substances compliant.
Halogen free
100% Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RJ1 1 N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1R10BBHTL1
- ROHM RJ1 1 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1P10BBHTL1
- ROHM RJ1 1 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1P07CBHTL1
- ROHM RJ1 1 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1P04BBHTL1
- ROHM RJ1N04BBHT N-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB-3LSHYAD RJ1N04BBHTL1
- ROHM RD3 N-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3L04BBLHRBTL
- ROHM AG087FGD3HRB N-Channel Single MOSFETs -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) AG087FGD3HRBTL
- ROHM RQ5 N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 3-Pin TSMT-3 RQ5G060BGTCL