ROHM RJ1 Type N-Channel Single MOSFETs, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1R04BBHTL1
- RS Stock No.:
- 646-551
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RJ1R04BBHTL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 2 ชิ้น)*
THB153.47
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB164.212
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | THB76.735 | THB153.47 |
| 20 - 98 | THB67.58 | THB135.16 |
| 100 - 198 | THB60.645 | THB121.29 |
| 200 + | THB48.025 | THB96.05 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 646-551
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RJ1R04BBHTL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | TO-263AB | |
| Series | RJ1 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 27mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 89W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 37nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 4.77mm | |
| Length | 15.5mm | |
| Width | 10.36 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type TO-263AB | ||
Series RJ1 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 27mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 89W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 4.77mm | ||
Length 15.5mm | ||
Width 10.36 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM N channel 150 volt 40 ampere power metal oxide semiconductor field effect transistor features low on resistance, a high power package type TO two six three AB, lead free plating, and is restriction of hazardous substances compliant.
Halogen free
100% Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RJ1N04BBHT Type N-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-263AB-3LSHYAD RJ1N04BBHTL1
- ROHM RJ1 1 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1R10BBHTL1
- ROHM HT8KF6H Dual N-Channel Single MOSFETs 8-Pin HSMT-8 HT8KF6HTB1
- ROHM HP8KF7H Dual N-Channel Single MOSFETs 8-Pin HSOP-8 HP8KF7HTB1
- Vishay SUP50010EL Type N-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SUP50010EL-GE3
- ROHM RJ1 1 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1P07CBHTL1
- ROHM RJ1 1 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1P04BBHTL1
- ROHM RJ1 1 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1P10BBHTL1