Vishay SIRA10DDP N-Channel Single MOSFETs, 96 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIRA10DDP-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
653-141
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIRA10DDP-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

96A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK

Series

SIRA10DDP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0031Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

43W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.04mm

Length

5.15mm

Width

6.15mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 30 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK SO-8, it utilizes TrenchFET Gen IV technology to deliver ultra-low RDS(on), fast switching, and excellent thermal performance.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง