Vishay SISS5812DN N-Channel Single MOSFETs, 42.8 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SISS5812DN-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
653-132
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SISS5812DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

42.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK

Series

SISS5812DN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0135Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

44.6W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

830μm

Length

3.4mm

Standards/Approvals

No

Width

3.4mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay TrenchFET Gen V N-Channel Power MOSFET rated for 80 V drain-source voltage. Packaged in a Compact PowerPAK 1212-8S, it's Ideal for AI server power solutions, DC/DC converters, and load switching.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง