Vishay SQJQ140ER Type N-Channel Single MOSFETs, 413 A, 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJQ140ER-T1_GE3

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*

THB205,102.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB219,460.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 2,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2000 +THB102.551THB205,102.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
653-124
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQJQ140ER-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

413A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

SQJQ140ER

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00065Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

288nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

214W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

AEC-Q101

Length

10.42mm

Width

8 mm

Height

1.6mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay automotive-grade N-channel MOSFET engineered for high-efficiency switching in compact, power-dense systems. It supports up to 40 V drain-source voltage and delivers exceptional current handling with up to 413 A at 175 °C. Housed in a thin PowerPAK 8x8LR package, it leverages TrenchFET Gen IV technology for ultra-low RDS(on) and superior thermal performance.

AEC Q101 qualified

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง