Vishay SQJ190 Type N-Channel Single MOSFETs, 19.6 A, 100 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- RS Stock No.:
- 653-120
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ190ELP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB17.82
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB19.07
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,980 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 24 | THB17.82 |
| 25 - 99 | THB17.33 |
| 100 - 499 | THB16.83 |
| 500 - 999 | THB14.36 |
| 1000 + | THB13.37 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 653-120
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ190ELP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 19.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | SQJ190 | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.058Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 21nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 45W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 5.13mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Height | 1.07mm | |
| Width | 6.22 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 19.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series SQJ190 | ||
Package Type PowerPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.058Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 45W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 5.13mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Height 1.07mm | ||
Width 6.22 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay Automotive-grade N-channel MOSFET engineered for high-efficiency switching in power-dense environments. It supports up to 100 V drain-source voltage and operates reliably at junction temperatures up to 175 °C. Packaged in PowerPAK SO-8L, it utilizes TrenchFET technology for optimized thermal and electrical performance.
AEC Q101 qualified
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQJ190 Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJ190ELP-T1_GE3
- Vishay SQJQ140ER Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQJQ114EL Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQJ738EP Dual N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQJ131ELP Type P-Channel Single MOSFETs -30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQJ443 Type P-Channel Single MOSFETs -40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQJ141ELP Type P-Channel Single MOSFETs -40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQJA61EP Type P-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK