Vishay SQJ190 N-Channel Single MOSFETs, 19.6 A, 100 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJ190ELP-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 653-119
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ190ELP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (3000 ชิ้น, ในม้วนขนาด 3000)*
THB37,899.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB40,551.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 มิถุนายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB12.633 | THB37,899.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
ตัวเลือก
สินค้านี้ไม่มีจำหน่ายในขณะนี้ ลองดูสินค้าอื่นที่เราแนะนำ
1 Tape of 1
THB27.56
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB29.49
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
- RS Stock No.:
- 653-119
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ190ELP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 19.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | SQJ190 | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.058Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 21nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 45W | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 5.13mm | |
| Height | 1.07mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Width | 6.22mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 19.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series SQJ190 | ||
Package Type PowerPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.058Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 45W | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 5.13mm | ||
Height 1.07mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Width 6.22mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQJ190 N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQJ738EP Dual N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQJQ114EL N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQJQ140ER N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQJQ114EL N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJQ114EL-T1_GE3
- Vishay SQJQ140ER N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJQ140ER-T1_GE3
- Vishay SQJ738EP Dual N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJ738EP-T1_GE3
- Vishay SQJ131ELP Type P-Channel Single MOSFETs -30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJ131ELP-T1_GE3