Vishay SQJA36EP Type N-Channel MOSFET, 350 A, 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJA36EP-T1_JE3

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB59.41

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB63.57

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน
ต่อม้วน
1 - 24THB59.41
25 - 99THB57.43
100 - 499THB56.44
500 - 999THB48.02
1000 +THB45.05

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
653-069
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQJA36EP-T1_JE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

350A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PowerPAK

Series

SQJA36EP

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00124Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

500W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

86nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

AEC-Q101

Width

6.25 mm

Height

1.1mm

Length

6.25mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay automotive-grade N-channel MOSFET built for high-efficiency switching in power-dense environments. It supports up to 40 V drain-source voltage and handles continuous drain currents up to 350 A, making it Ideal for demanding automotive applications. Packaged in PowerPAK SO-8L, it features TrenchFET Gen IV technology for ultra-low RDS(on) and optimized switching performance.

AEC Q101 qualified

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง