Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 350 mA, 240 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP89H6327XTSA1

RS Stock No.:: 445-2281
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSP89H6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 350 mA, 240 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP89H6327XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB71.01

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB75.98

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

435 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 920 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 20	THB14.202	THB71.01
25 - 95	THB13.774	THB68.87
100 - 245	THB13.344	THB66.72
250 - 495	THB13.058	THB65.29
500 +	THB12.772	THB63.86

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 445-2281
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSP89H6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	350mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	240V
	Package Type	SOT-223
	Series	SIPMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	6Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4.3nC
	Maximum Power Dissipation Pd	1.8W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.6mm
	Length	6.5mm
	Width	3.5 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 350mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 240V
	Package Type SOT-223
	Series SIPMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 6Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.3nC
	Maximum Power Dissipation Pd 1.8W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.6mm
	Length 6.5mm
	Width 3.5 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

ไม่สอดคล้อง

Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 350 mA Maximum Continuous Drain Current, 1.8W Maximum Power Dissipation - BSP89H6327XTSA1

This MOSFET is a key component for high-voltage electronic applications, providing effective switching capabilities. Utilising N-channel enhancement mode technology, it is suitable for automotive and industrial electronics, ensuring efficient operation in various conditions. The SOT-223 package enables versatile surface mounting, making it appropriate for contemporary circuit designs.

Features & Benefits

• Maximum continuous drain current of 350mA

• High drain-source voltage rating of 240V for enhanced safety

• Low gate threshold voltage improves sensitivity

• Power dissipation capability of up to 1.8W

• Ideal for logic-level applications with quick switching times

Applications

• Power management in automotive electronics

• MOSFET-based switching power supplies

• Signal amplification in electronic circuits

What is the maximum temperature range for operation?

It operates effectively within a temperature range of -55°C to +150°C, suitable for various environmental conditions.

How does the gate threshold voltage affect performance?

A low gate threshold voltage allows the MOSFET to activate at lower input voltages, enhancing efficiency in battery-operated devices.

What type of mounting is compatible with this device?

This component is designed for surface mounting in a SOT-223 package, facilitating easy integration into PCBs.

Can it handle pulsed drain currents?

Yes, it can manage pulsed drain currents of up to 1.4A, offering additional flexibility for burst power applications.

Is it suitable for use with microcontrollers?

Yes, its logic-level compatibility allows for direct interfacing with microcontroller outputs for effective control.