Vishay SQJA36EP N-Channel MOSFET, 350 A, 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJA36EP-T1_JE3
- RS Stock No.:
- 653-068
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJA36EP-T1_JE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB129,303.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB138,354.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 3,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB43.101 | THB129,303.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
ตัวเลือก
สินค้านี้ไม่มีจำหน่ายในขณะนี้ ลองดูสินค้าอื่นที่เราแนะนำ
1 Tape of 1
THB80.79
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB86.45
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
- RS Stock No.:
- 653-068
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJA36EP-T1_JE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 350A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | SQJA36EP | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.00124Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 86nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500W | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 6.25mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Length | 6.25mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 350A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series SQJA36EP | ||
Package Type PowerPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00124Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 86nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500W | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 6.25mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Length 6.25mm | ||
Height 1.1mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQJA36EP N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJA36EP-T1_JE3
- Vishay SQJA36EP N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJA36EP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ136ELP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L
- Vishay TrenchFET N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAK SQJA36EP-T1_BE3
- Vishay SQ7414CENW N-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SQ7414CENW-T1_JE3
- Infineon BSP88 N-Channel MOSFET 240 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon BSP88 N-Channel MOSFET 240 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP88H6327XTSA1

