Vishay SQJA36EP Type N-Channel MOSFET, 350 A, 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJA36EP-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 200-6822
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJA36EP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB108,273.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB115,851.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB36.091 | THB108,273.00 |
| 6000 - 9000 | THB35.008 | THB105,024.00 |
| 12000 + | THB33.958 | THB101,874.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 200-6822
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJA36EP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 350A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | SQJA36EP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.24mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 107nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500W | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 4.2mm | |
| Height | 6.25mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 350A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series SQJA36EP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.24mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 107nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500W | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 4.2mm | ||
Height 6.25mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay SQJA36EP-T1_GE3 is a automotive N-channel 40V (D-S) 175°C MOSFET.
TrenchFET Gen IV power MOSFET
AEC-Q101 qualified
100 % Rg and UIS tested
Qgd/Qgs ratio < 1 optimizes switching
characteristics
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQJA36EP Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8
- Vishay SQJA36EP Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJA36EP-T1_JE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ136ELP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP4004PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon OptiMOS-TM5 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 4-Pin PG-HSOG-4-1 IAUMN08S5N013GAUMA1
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ140E-T1_GE3