Infineon BSP88 N-Channel MOSFET, 350 mA, 240 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP88H6327XTSA1
- RS Stock No.:
- 218-2982
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSP88H6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (50 ชิ้น, ในแพ็คขนาด 50)*
THB903.95
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB967.25
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 850 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | THB18.079 | THB903.95 |
| 250 - 450 | THB17.627 | THB881.35 |
| 500 + | THB17.355 | THB867.75 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-2982
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSP88H6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 350mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 240V | |
| Series | BSP88 | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.8W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.7mm | |
| Width | 3.7mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.8mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 350mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 240V | ||
Series BSP88 | ||
Package Type SOT-223 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.8W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.7mm | ||
Width 3.7mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.8mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Infineon BSP88 Series MOSFET, 240V Maximum Drain Source Voltage, 1.8W Maximum Power Dissipation - BSP88H6327XTSA1
This MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for surface-mount power switching and control in demanding environments. It operates across a wide temperature range suitable for automotive applications and provides enhancement-mode switching with gate protection suitable for typical control voltages.
Features and Benefits:
• 240V drain-source rating enables high-voltage switching capability
• 6Ω maximum Rds reduces conduction losses in low-current circuits
• 350mA continuous drain current supports moderate current loads
• 4.5nC typical gate charge allows Faster gate transitions
• 1.8W power dissipation accommodates moderate thermal loads
• 20V gate-source limit provides defined gate protection margin
• 6Ω maximum Rds reduces conduction losses in low-current circuits
• 350mA continuous drain current supports moderate current loads
• 4.5nC typical gate charge allows Faster gate transitions
• 1.8W power dissipation accommodates moderate thermal loads
• 20V gate-source limit provides defined gate protection margin
Applications
• Suitable for automotive sensor Interface circuits
• Ideal for isolated high-voltage control stages
• Used with battery-management or auxiliary systems
• Can be used for board-level power sequencing
• Suitable for low-power motor driver control
• Ideal for isolated high-voltage control stages
• Used with battery-management or auxiliary systems
• Can be used for board-level power sequencing
• Suitable for low-power motor driver control
What temperature span can it tolerate during operation?
The device is rated to operate from -55°C up to 150°C.
How is the device intended to be mounted on a PCB?
It is supplied in a SOT-223 package for surface-mount assembly.
What package pin count should designers expect?
There are four pins available for circuit connections.
What channel type and mode define its switching behaviour?
It is an N-channel device operating in enhancement mode.
Which automotive standard does it meet for qualification?
It complies with the AEC-Q101 automotive component standard.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BSP88 N-Channel MOSFET 240 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS N-Channel MOSFET 240 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP89H6327XTSA1
- Infineon SIPMOS N-Channel MOSFET 240 V Depletion, 4-Pin SOT-223 BSP129H6327XTSA1
- Nexperia 2N7002BK N-Channel MOSFET 60 V Enhancement215
- Nexperia 2N7002BK N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Microchip 2N6661 N-Channel MOSFET 90 V Enhancement, 3-Pin TO-39
- Microchip 2N6661 N-Channel MOSFET 90 V Enhancement, 3-Pin TO-39 2N6661
- Microchip Single TN0110 1 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-92 TN0110N3-G
