Infineon IPQC60 Type N-Channel MOSFET, 174 A, 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPQC60T010S7AXTMA1
- RS Stock No.:
- 351-946
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPQC60T010S7AXTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,293.93
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,384.51
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB1,293.93 |
| 10 - 99 | THB1,164.78 |
| 100 + | THB1,073.74 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 351-946
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPQC60T010S7AXTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 174A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | PG-HDSOP-22 | |
| Series | IPQC60 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 22 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.01Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 694W | |
| Forward Voltage Vf | 0.82V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 318nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | AEC Q101 | |
| Length | 15.5mm | |
| Width | 10.43 mm | |
| Height | 2.35mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 174A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type PG-HDSOP-22 | ||
Series IPQC60 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 22 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.01Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 694W | ||
Forward Voltage Vf 0.82V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 318nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals AEC Q101 | ||
Length 15.5mm | ||
Width 10.43 mm | ||
Height 2.35mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon CoolMOS S7TA with embedded temperature sensor increases junction temperature sensing accuracy and robustness while enabling easy implementation and functional safety. The device is optimized for low-frequency and high-current switching applications. It is an ideal fit for solid-state relay, battery disconnect, and eFuses.
Minimized conduction losses
Increased system performances
Allowing more compact design over EMR
Lower TCO over prolonged time
Enabling higher power density designs
Reduction of external sensing elements
Best utilization of power transistor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPQC60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPQC60T010S7XTMA1
- Infineon IPDQ60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60T010S7XTMA1
- Infineon IPDQ60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60T010S7AXTMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60T040S7AXTMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60T017S7XTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IMDQ75R060M1HXUMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 AIMDQ75R016M1HXUMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 AIMDQ75R060M1HXUMA1
