Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 113.3 A, 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60T017S7XTMA1

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB734.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB785.70

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 750 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB734.30
10 - 99THB661.06
100 +THB609.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
348-997
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPDQ60T017S7XTMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

113.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

PG-HDSOP-22

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

22

Maximum Drain Source Resistance Rds

17mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

500W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

196nC

Forward Voltage Vf

0.82V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS, JEDEC, JS-001

COO (Country of Origin):
MY
The Infineon CoolMOS S7T enables the best price performance for low frequency switching applications. The embedded temperature sensor increases junction temperature sensing accuracy and robustness while keeping an easy and seamless implementation. CoolMOS S7T is optimized for static switching and high current applications. The new temperature sensor enhances S7 features, allowing the best possible utilization of the power transistor.

Increased system performance

Increased system performance

More compact and more straightforward design

Lower BOM or TCO over a prolonged lifetime

More reliability and longer system lifetime

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง