Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 113.3 A, 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60T017S7XTMA1
- RS Stock No.:
- 348-997
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPDQ60T017S7XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB734.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB785.70
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 750 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB734.30 |
| 10 - 99 | THB661.06 |
| 100 + | THB609.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 348-997
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPDQ60T017S7XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 113.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | PG-HDSOP-22 | |
| Series | IPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 22 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 17mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 196nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.82V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, JEDEC, JS-001 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 113.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type PG-HDSOP-22 | ||
Series IPD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 22 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 17mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 196nC | ||
Forward Voltage Vf 0.82V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS, JEDEC, JS-001 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon CoolMOS S7T enables the best price performance for low frequency switching applications. The embedded temperature sensor increases junction temperature sensing accuracy and robustness while keeping an easy and seamless implementation. CoolMOS S7T is optimized for static switching and high current applications. The new temperature sensor enhances S7 features, allowing the best possible utilization of the power transistor.
Increased system performance
Increased system performance
More compact and more straightforward design
Lower BOM or TCO over a prolonged lifetime
More reliability and longer system lifetime
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60T040S7AXTMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60T017S7AXTMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60T022S7AXTMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60R007CM8XTMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60T022S7XTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 AIMDQ75R090M1HXUMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IMDQ75R060M1HXUMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 AIMDQ75R016M1HXUMA1