Infineon IPDQ60 Type N-Channel MOSFET, 174 A, 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60T010S7AXTMA1

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB1,293.93

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,384.51

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 750 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB1,293.93
10 - 99THB1,164.78
100 +THB1,073.74

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
351-944
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPDQ60T010S7AXTMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

174A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

PG-HDSOP-22

Series

IPDQ60

Mount Type

Surface

Pin Count

22

Maximum Drain Source Resistance Rds

10mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.82V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

318nC

Maximum Power Dissipation Pd

694W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

15.1mm

Height

2.35mm

Standards/Approvals

AEC Q101

Width

15.5 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
MY
The Infineon CoolMOS S7TA with embedded temperature sensor increases junction temperature sensing accuracy and robustness while enabling easy implementation and functional safety. The device is optimized for low-frequency and high-current switching applications. It is an ideal fit for solid-state relay, Battery Disconnect, and eFuses.

Minimized conduction losses

Increased system performances

Allowing more compact design over EMR

Lower TCO over prolonged time

Enabling higher power density designs

Reduction of external sensing elements

Best utilization of power transistor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง