Infineon IPQC60 Type N-Channel MOSFET, 174 A, 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPQC60T010S7XTMA1
- RS Stock No.:
- 351-943
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPQC60T010S7XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,244.44
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,331.55
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 750 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB1,244.44 |
| 10 - 99 | THB1,120.25 |
| 100 + | THB1,032.67 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 351-943
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPQC60T010S7XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 174A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | IPQC60 | |
| Package Type | PG-HDSOP-22 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 22 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.022Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.82V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 694W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 318nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 15.5 mm | |
| Standards/Approvals | JEDEC | |
| Length | 15.1mm | |
| Height | 2.35mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 174A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series IPQC60 | ||
Package Type PG-HDSOP-22 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 22 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.022Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.82V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 694W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 318nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 15.5 mm | ||
Standards/Approvals JEDEC | ||
Length 15.1mm | ||
Height 2.35mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon CoolMOS S7T with embedded temperature sensor increases junction temperature sensing accuracy and robustness while enabling easy implementation. The device is optimized for low-frequency and high-current switching applications. It is an ideal fit for solid-state relay, circuit breaker designs, and line rectification in SMPS.
Minimized conduction losses
Increased system performances
Allow more compact design over EMR
Lower TCO over prolonged time
Enabling higher power density designs
Reduction of external sensing elements
Best utilization of power transistor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPQC60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPQC60T010S7AXTMA1
- Infineon IPDQ60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60T010S7XTMA1
- Infineon IPDQ60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60T010S7AXTMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60T040S7AXTMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60T017S7XTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IMDQ75R060M1HXUMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 AIMDQ75R016M1HXUMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 AIMDQ75R060M1HXUMA1
