Infineon IPDQ60 Type N-Channel MOSFET, 174 A, 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60T010S7XTMA1

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB1,244.44

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,331.55

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 750 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB1,244.44
10 - 99THB1,120.25
100 +THB1,032.67

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
351-942
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPDQ60T010S7XTMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

174A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

IPDQ60

Package Type

PG-HDSOP-22

Mount Type

Surface

Pin Count

22

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.022Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.82V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

318nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

694W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

15.1mm

Height

2.35mm

Width

15.5 mm

Standards/Approvals

JEDEC

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY
The Infineon CoolMOS S7T with embedded temperature sensor increases junction temperature sensing accuracy and robustness while enabling easy implementation. The device is optimized for low-frequency and high-current switching applications. It is an ideal fit for solid-state relay, circuit breaker designs, and line rectification in SMPS.

Minimized conduction losses

Increased system performances

Allow more compact design over EMR

Lower TCO over prolonged time

Enabling higher power density designs

Reduction of external sensing elements

Best utilization of power transistor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง