Infineon IQD0 Type N-Channel MOSFET, 276 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PG-WHSON-8 IQD020N10NM5SCATMA1

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB452.75

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB484.442

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 5,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 18THB226.375THB452.75
20 - 198THB203.86THB407.72
200 - 998THB188.025THB376.05
1000 - 1998THB174.42THB348.84
2000 +THB156.36THB312.72

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
351-912
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IQD020N10NM5SCATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

276A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PG-WHSON-8

Series

IQD0

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.05mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

333W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

107nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC

Height

0.75mm

Width

6 mm

Length

5mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY
The Infineon Power MOSFET comes with a low RDS(on) of 2,05 mOhm combined with outstanding thermal performance for easy power loss management. Moreover, with the dual-side cooling package five times more power can be dissipated compared to the over molded package. This enables higher system efficiency and power density for a large variety of end applications.

Cutting edge 100 V silicon technology

Outstanding FOMs

Improved thermal performance

Ultra-low parasitic

Maximized chip or package ratio

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง