Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 132 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PG-WHSON-8 IQE030N06NM5SCATMA1

RS Stock No.:: 284-759
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQE030N06NM5SCATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 132 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PG-WHSON-8 IQE030N06NM5SCATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 6000 ชิ้น)*

THB407,406.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB435,924.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
6000 +	THB67.901	THB407,406.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 284-759
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQE030N06NM5SCATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	132A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	PG-WHSON-8
	Series	OptiMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	100W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	39nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 132A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type PG-WHSON-8
	Series OptiMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 100W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 39nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IQE030N06NM5SCATMA1

The Infineon MOSFET features an optimos 5 power transistor is designed to excel in synchronous rectification applications, offering unparalleled performance and efficiency. With a robust design and state of the ART thermal management capabilities, this power MOSFET ensures reliable operation in demanding environments. Its superior thermal resistance makes it a prime choice for various industrial applications, ensuring that your systems operate with maximum reliability and minimal power loss. Fully compliant with RoHS regulations, this component prioritises eco friendliness while maintaining exceptional functionality.

High efficiency synchronous rectification

N channel configuration for effective performance

100% avalanche reliability tested

Halogen free materials for safer disposal

Wide industrial temperature range support

Minimal on state resistance reduces power loss

RoHS compliant for environmental sustainability

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 132 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PG-WHSON-8 IQE030N06NM5SCATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง