Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 99 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PG-WHSON-8 IQE046N08LM5SCATMA1

RS Stock No.:: 284-768
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQE046N08LM5SCATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 99 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PG-WHSON-8 IQE046N08LM5SCATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB483.43

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB517.27

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 45	THB96.686	THB483.43
50 - 95	THB91.836	THB459.18
100 - 495	THB85.108	THB425.54
500 - 995	THB78.278	THB391.39
1000 +	THB75.408	THB377.04

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 284-768
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQE046N08LM5SCATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	99A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	PG-WHSON-8
	Series	OptiMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.6mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	19nC
	Maximum Power Dissipation Pd	100W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 99A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type PG-WHSON-8
	Series OptiMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.6mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19nC
	Maximum Power Dissipation Pd 100W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IQE046N08LM5SCATMA1

The Infineon MOSFET features an OptiMOS 5 Power Transistor is designed to deliver exceptional performance and reliability in high efficiency applications. Built for synchronous rectification in switch mode power supplies, this innovative MOSFET integrates Advanced thermal management features to ensure superior heat dissipation. Leveraging a logic level N channel configuration with extremely low on resistance, it guarantees efficient operation even at elevated temperatures. This component meets stringent industry standards while offering robust avalanche protection, making it a prime choice for industrial applications requiring high current handling and environmental toughness.

Optimised for high performance switching

Low on resistance enhances energy efficiency

Robust thermal performance for longevity

Avalanche tested for reliability

Pb free lead plating meets RoHS standards

Halogen free for eco friendly compliance

Ideal for stringent industrial applications

Compact package for easy integration

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 99 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PG-WHSON-8 IQE046N08LM5SCATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง