Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 789 A, 25 V Enhancement, 8-Pin PG-WHSON-8 IQDH29NE2LM5SCATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB344.39

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB368.498

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 12 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 18THB172.195THB344.39
20 - 198THB155.125THB310.25
200 - 998THB143.00THB286.00
1000 - 1998THB132.61THB265.22
2000 +THB118.755THB237.51

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
348-884
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IQDH29NE2LM5SCATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

789A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Package Type

PG-WHSON-8

Series

OptiMOS 5

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.29mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

278W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
AT
The Infineon Power MOSFET comes with industry’s lowest RDS(ON) of 0.29 mOhm combined with outstanding thermal performance for easy power loss management.

Minimized conduction losses

Fast switching

Reduced voltage overshoot

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง