Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET, 789 A, 25 V Enhancement, 8-Pin PG-WHSON-8 IQDH29NE2LM5SCATMA1
- RS Stock No.:
- 348-884
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IQDH29NE2LM5SCATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB344.39
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB368.498
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 20 กันยายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | THB172.195 | THB344.39 |
| 20 - 198 | THB155.125 | THB310.25 |
| 200 - 998 | THB143.00 | THB286.00 |
| 1000 - 1998 | THB132.61 | THB265.22 |
| 2000 + | THB118.755 | THB237.51 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 348-884
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IQDH29NE2LM5SCATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 789A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Series | OptiMOS 5 | |
| Package Type | PG-WHSON-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.29mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 278W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 789A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Series OptiMOS 5 | ||
Package Type PG-WHSON-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.29mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 278W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- AT
The Infineon Power MOSFET comes with industrys lowest RDS(ON) of 0.29 mOhm combined with outstanding thermal performance for easy power loss management.
Minimized conduction losses
Fast switching
Reduced voltage overshoot
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PG-WHSON-8 IQE022N06LM5SCATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PG-WHSON-8 IQE050N08NM5SCATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PG-WHSON-8 IQE030N06NM5SCATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PG-WHSON-8 IQE046N08LM5SCATMA1
- Infineon IQD0 N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PG-WHSON-8 IQD063N15NM5SCATMA1
- Infineon IQD0 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PG-WHSON-8 IQD020N10NM5SCATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 9-Pin PG-TTFN-9 IQDH35N03LM5CGATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 9-Pin PG-TTFN-9 IQDH29NE2LM5CGATMA1
