Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 151 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PG-WHSON-8 IQE022N06LM5SCATMA1

RS Stock No.:: 284-755
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQE022N06LM5SCATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 151 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PG-WHSON-8 IQE022N06LM5SCATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB460.67

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB492.915

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 45	THB92.134	THB460.67
50 - 95	THB87.482	THB437.41
100 - 495	THB81.05	THB405.25
500 - 995	THB74.618	THB373.09
1000 +	THB71.846	THB359.23

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 284-755
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQE022N06LM5SCATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	151A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	OptiMOS
	Package Type	PG-WHSON-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Power Dissipation Pd	100W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	26nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 151A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series OptiMOS
	Package Type PG-WHSON-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Power Dissipation Pd 100W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 26nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21
	Automotive Standard No

Datasheet - IQE022N06LM5SCATMA1

The Infineon MOSFET features an OptiMOS 5 Power Transistor is a highly efficient MOSFET designed to meet the demands of Advanced power management applications. With a power dissipation capacity that allows it to operate reliably under intense conditions, this power transistor ensures optimal efficiency and thermal management. Its Pb free and RoHS compliant construction endorses its usability in eco sensitive applications, while also being halogen free, enhancing its adaptability across various sectors. Fully qualified according to JEDEC standards for industrial applications, it is a trusted component for engineers seeking reliable, high performance solutions.

Optimised for power management

Supports synchronous rectification in SMPS

N channel with logic level compatibility

Very low on resistance for thermal performance

Superior thermal resistance for reliability

100% avalanche tested for operational assurance

Complies with environmental regulations

Comprehensive validation for industrial use

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 151 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PG-WHSON-8 IQE022N06LM5SCATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง