Infineon ISC Type N-Channel Power Transistor, 74 A, 200 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 FL ISC151N20NM6ATMA1

RS Stock No.:: 349-149
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: ISC151N20NM6ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon ISC Type N-Channel Power Transistor, 74 A, 200 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 FL ISC151N20NM6ATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB445.82

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB477.02

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

5,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 18	THB222.91	THB445.82
20 - 198	THB200.645	THB401.29
200 - 998	THB185.06	THB370.12
1000 - 1998	THB171.70	THB343.40
2000 +	THB153.885	THB307.77

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 349-149
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: ISC151N20NM6ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	Power Transistor
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	74A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Series	ISC
	Package Type	PG-TDSON-8 FL
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	15.1mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	31nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	200W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type Power Transistor
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 74A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Series ISC
	Package Type PG-TDSON-8 FL
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 15.1mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 31nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 200W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - ISC151N20NM6ATMA1

COO (Country of Origin):: MY

The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor is an N-channel, normal level MOSFET designed for high performance power applications. It features very low on-resistance (RDS(on)), which helps to minimize conduction losses and improve system efficiency. With an excellent gate charge x RDS(on) product (FOM), this transistor ensures optimized switching performance. It also offers very low reverse recovery charge (Qrr), reducing switching losses and enhancing overall efficiency in fast-switching circuits. Designed to operate at a 175°C temperature, it provides high reliability in demanding environments and offers superior thermal performance for robust operation.

Pb free lead plating and RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

MSL 1 classified according to J-STD-020

100% avalanche tested

Infineon ISC Type N-Channel Power Transistor, 74 A, 200 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 FL ISC151N20NM6ATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง