Infineon ISC Type N-Channel MOSFET, 164 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISC035N10NM5LF2ATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB357.75

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB382.792

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 5,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 18THB178.875THB357.75
20 - 198THB161.06THB322.12
200 - 998THB148.445THB296.89
1000 - 1998THB137.805THB275.61
2000 +THB123.455THB246.91

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
349-141
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
ISC035N10NM5LF2ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

164A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

ISC

Package Type

PG-TDSON-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

217W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC

COO (Country of Origin):
CN
The Infineon OptiMOS 5 Linear FET 2, 100 V is an N-channel, normal level MOSFET specifically designed for hot-swap, battery protection, and e-fuse applications. It features very low on resistance (RDS(on)), which helps minimize conduction losses, enhancing efficiency. The MOSFET also offers a wide safe operating area (SOA), ensuring reliable performance under a variety of operating conditions. These features make it an ideal choice for applications requiring robust, efficient, and reliable power management.

100% avalanche tested

Pb‑free lead plating and RoHS compliant

Halogen‑free according to IEC61249‑2‑21

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง