Infineon ISC Type N-Channel MOSFET, 164 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISC035N10NM5LF2ATMA1
- RS Stock No.:
- 349-141
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISC035N10NM5LF2ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB357.75
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB382.792
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 5,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | THB178.875 | THB357.75 |
| 20 - 198 | THB161.06 | THB322.12 |
| 200 - 998 | THB148.445 | THB296.89 |
| 1000 - 1998 | THB137.805 | THB275.61 |
| 2000 + | THB123.455 | THB246.91 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 349-141
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISC035N10NM5LF2ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 164A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | ISC | |
| Package Type | PG-TDSON-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 217W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 164A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series ISC | ||
Package Type PG-TDSON-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 217W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Infineon OptiMOS 5 Linear FET 2, 100 V is an N-channel, normal level MOSFET specifically designed for hot-swap, battery protection, and e-fuse applications. It features very low on resistance (RDS(on)), which helps minimize conduction losses, enhancing efficiency. The MOSFET also offers a wide safe operating area (SOA), ensuring reliable performance under a variety of operating conditions. These features make it an ideal choice for applications requiring robust, efficient, and reliable power management.
100% avalanche tested
Pb‑free lead plating and RoHS compliant
Halogen‑free according to IEC61249‑2‑21
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon ISC Type N-Channel Power Transistor 135 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISC046N13NM6ATMA1
- Infineon ISC Type N-Channel OptiMOST Power-MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon ISC Type N-Channel N-Channel Mosfet 120 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISC078N12NM6ATMA1
- Infineon ISC Type N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISCH42N04LM7ATMA1
- Infineon ISC Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISC110N12NM6ATMA1
- Infineon ISC Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISC320N12LM6ATMA1
- Infineon ISC Type N-Channel Power Transistor 200 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 FL ISC151N20NM6ATMA1
- Infineon ISC Type N-Channel Power Transistor 120 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 FL ISC032N12LM6ATMA1
