Infineon ISC Type N-Channel Power Transistor, 541 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISCH42N04LM7ATMA1
- RS Stock No.:
- 349-391
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISCH42N04LM7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB674.92
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB722.165
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 พฤศจิกายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB134.984 | THB674.92 |
| 50 - 95 | THB128.254 | THB641.27 |
| 100 + | THB118.754 | THB593.77 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 349-391
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISCH42N04LM7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | Power Transistor | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 541A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | ISC | |
| Package Type | PG-TDSON-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.42mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 79nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 234W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type Power Transistor | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 541A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series ISC | ||
Package Type PG-TDSON-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.42mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 79nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 234W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon OptiMOS 7 Power Transistor, 40 V, N-channel is a high performance MOSFET designed to offer exceptional efficiency and reliability in power switching applications. Featuring very low on-resistance (RDS(on)), it helps minimize conduction losses, enhancing overall system efficiency. Its superior thermal resistance ensures effective heat dissipation, making it well-suited for high power applications. Additionally, it is 100% avalanche tested, providing robust protection against transient events and ensuring stable performance even under harsh conditions.
Pb free lead plating and RoHS compliant
Halogen free according to IEC61249-2-21
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon ISC Type N-Channel Power Transistor 135 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISC046N13NM6ATMA1
- Infineon ISC Type N-Channel Power Transistor 200 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 FL ISC151N20NM6ATMA1
- Infineon ISC Type N-Channel Power Transistor 120 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 FL ISC032N12LM6ATMA1
- Infineon ISC Type N-Channel OptiMOST Power-MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon ISC Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISC035N10NM5LF2ATMA1
- Infineon ISC Type N-Channel N-Channel Mosfet 120 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISC078N12NM6ATMA1
- Infineon ISC Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISC110N12NM6ATMA1
- Infineon ISC Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISC320N12LM6ATMA1