Infineon ISC Type N-Channel MOSFET, 62 A, 120 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISC110N12NM6ATMA1

RS Stock No.:: 349-146
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: ISC110N12NM6ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon ISC Type N-Channel MOSFET, 62 A, 120 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISC110N12NM6ATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB533.90

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB571.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

5,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 90	THB53.39	THB533.90
100 - 240	THB50.718	THB507.18
250 +	THB47.007	THB470.07

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 349-146
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: ISC110N12NM6ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	62A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	120V
	Series	ISC
	Package Type	PG-TDSON-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	11mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	15.4nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	94W
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 62A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 120V
	Series ISC
	Package Type PG-TDSON-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 11mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15.4nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 94W
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - ISC110N12NM6ATMA1

COO (Country of Origin):: CN

The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor is an N channel, normal level MOSFET designed for high efficiency power applications. It features very low on-resistance (RDS(on)), reducing conduction losses and improving energy efficiency. The transistor offers an excellent gate charge x RDS(on) product (FOM), enhancing switching performance. With very low reverse recovery charge (Qrr), it minimizes switching losses, making it ideal for fast-switching applications. It also has a high avalanche energy rating, ensuring robustness under transient conditions. Additionally, the MOSFET operates at a 175°C temperature, providing high thermal endurance for demanding applications.

Optimized for high frequency switching and synchronous rectification

Pb free lead plating and RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

MSL 1 classified according to J-STD-020

Infineon ISC Type N-Channel MOSFET, 62 A, 120 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISC110N12NM6ATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง